Модули памяти AMD

Тип DDR4, форм-фактор DIMM, тактовая частота 2666 МГц, планок 1, пропускная способность 21300 Мб/с, охлаждение радиатор, объем 16 Гб.

Тип DDR4, форм-фактор SO-DIMM, тактовая частота 2666 МГц, планок 1, пропускная способность 21300 Мб/с, охлаждение без охлаждения, объем 32 Гб.

Тип DDR4, форм-фактор SO-DIMM, тактовая частота 3200 МГц, планок 1, пропускная способность 25600 Мб/с, охлаждение без охлаждения, объем 16 Гб.

Тип DDR4, форм-фактор SO-DIMM, тактовая частота 3200 МГц, планок 1, пропускная способность 25600 Мб/с, охлаждение без охлаждения, объем 8 Гб.

Тип DDR4, форм-фактор DIMM, тактовая частота 3200 МГц, планок 1, пропускная способность 25600 Мб/с, охлаждение без охлаждения, объем 4 Гб.

Тип DDR4, форм-фактор SO-DIMM, тактовая частота 3200 МГц, планок 1, пропускная способность 25600 Мб/с, охлаждение без охлаждения, объем 4 Гб.

2 ГБ, 1 модуль DDR2 DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6-18, напряжение 1.8 В.

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В.

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В.

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В.

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В.

2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В.

8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В.

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В.

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В.

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В.