Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb

Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb

Тип DDR3, форм-фактор SODIMM 204-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 4 Гб. Подробнее

Нет предложений

Общие характеристики
Тип памяти: DDR3
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
Тактовая частота: 1600 МГц
Пропускная способность: 12800 Мб/с
Объем: 1 модуль 4 Гб
Тайминги
CAS Latency (CL): 11
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Row Precharge Delay (tRP): 11
02.08.2013
Работает.
Пока не нашел.
В ноуте Asus S46CB стояла память M471B5273CH0-CK000. Докупил вторую такую же. Заработала. Проблем пока нет. Если вопрос, работает ли она в данной модели бука, да работает. Два канала. Рекомендую.
29.01.2013
Надежность, качество и поверьте память этой фирмы стоит практически на всех уважаемых себя производителей техники
Идеально подходит для Macbook Pro 13.
Не замечены на протяжение 7 лет т.к на все компьютеры ставил ОЗУ только этой фирмы.
Искал именно Samsung т.к такая же только меньшего объема стояла в моем маке, если ищите память для Mac - рекомендую!!!
Patriot PSD34G16002
Тип DDR3, форм-фактор DIMM 240-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 4 Гб.
37 - 47.45 р.
3 предложения
Transcend TS512MSK64V6N
Тип DDR3, форм-фактор SODIMM 204-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 4 Гб.
120 - 132.34 р.
3 предложения
Patriot Memory PSD38G13332
Тип DDR3, форм-фактор DIMM 240-контактный, тактовая частота 1333 МГц, пропускная способность 10600 Мб/с, объем 1 модуль 8 Гб.
63 - 81.78 р.
2 предложения
Qumo DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb
Тип DDR3, форм-фактор SODIMM 204-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 4 Гб.
Patriot Memory PSD38G16002
Тип DDR3, форм-фактор DIMM 240-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 8 Гб.
Kingston KVR16N11/8
Тип DDR3, форм-фактор DIMM 240-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 8 Гб.
142 - 166.80 р.
4 предложения
Kingston KVR16S11/8
Тип DDR3, форм-фактор SODIMM 204-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 8 Гб.
121 - 167.85 р.
4 предложения
Kingston KVR16S11S8/4
Тип DDR3, форм-фактор SODIMM 204-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 4 Гб.
Kingston KVR16N11S8/4
Тип DDR3, форм-фактор DIMM 240-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 4 Гб.
71 - 92.15 р.
4 предложения
Silicon Power SP008GBLTU160N02
Тип DDR3, форм-фактор DIMM 240-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 8 Гб.
44 - 55.62 р.
2 предложения

Уважаемые посетители, описание характеристик «Модуль памяти Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb» взято из открытых источников или с сайта производителя. Если вы заметили ошибку, то, пожалуйста, сообщите об этом.