GoodRAM GR1333S364L9S/4G

GoodRAM GR1333S364L9S/4G

Тип DDR3, форм-фактор SODIMM 204-контактный, тактовая частота 1333 МГц, пропускная способность 10600 Мб/с, объем 1 модуль 4 Гб. Подробнее

Нет предложений

Общие характеристики
Тип памяти: DDR3
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
Тактовая частота: 1333 МГц
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Объем: 1 модуль 4 Гб
Рабочее напряжение: 1.50 В
Тайминги
CAS Latency (CL): 9
18.12.2015
Ничего.
Не работает.
Купил вместо стоявшей 2 Гб планки, две по 4 Гб GoodRAM. В результате ноутбук не включается. Пробовал ставить и по одной, и вместе со старой в разных комбинациях - не работает. Работает только со старой памятью. Ноутбук Lenovo g550 модель 20023. Покупал в одном известном инет-магазине, но там мой отзыв потерли.
Patriot PSD34G16002
Тип DDR3, форм-фактор DIMM 240-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 4 Гб.
37 - 47.45 р.
3 предложения
Transcend TS512MSK64V6N
Тип DDR3, форм-фактор SODIMM 204-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 4 Гб.
120 - 132.34 р.
3 предложения
Patriot Memory PSD38G13332
Тип DDR3, форм-фактор DIMM 240-контактный, тактовая частота 1333 МГц, пропускная способность 10600 Мб/с, объем 1 модуль 8 Гб.
63 - 81.78 р.
2 предложения
Qumo DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb
Тип DDR3, форм-фактор SODIMM 204-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 4 Гб.
Patriot Memory PSD38G16002
Тип DDR3, форм-фактор DIMM 240-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 8 Гб.
Kingston KVR16N11/8
Тип DDR3, форм-фактор DIMM 240-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 8 Гб.
142 - 166.80 р.
4 предложения
Kingston KVR16S11/8
Тип DDR3, форм-фактор SODIMM 204-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 8 Гб.
121 - 167.85 р.
4 предложения
Kingston KVR16S11S8/4
Тип DDR3, форм-фактор SODIMM 204-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 4 Гб.
Kingston KVR16N11S8/4
Тип DDR3, форм-фактор DIMM 240-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 4 Гб.
71 - 92.15 р.
4 предложения
Silicon Power SP008GBLTU160N02
Тип DDR3, форм-фактор DIMM 240-контактный, тактовая частота 1600 МГц, пропускная способность 12800 Мб/с, объем 1 модуль 8 Гб.
44 - 55.62 р.
2 предложения

Уважаемые посетители, описание характеристик «Модуль памяти GoodRAM GR1333S364L9S/4G» взято из открытых источников или с сайта производителя. Если вы заметили ошибку, то, пожалуйста, сообщите об этом.