Silicon Power SP004GBSFU266N02
Silicon Power SP004GBSFU266N02 Silicon Power SP004GBSFU266N02 Silicon Power SP004GBSFU266N02

Silicon Power SP004GBSFU266N02

Тип DDR4, форм-фактор SO-DIMM, тактовая частота 2666 МГц, планок 1, пропускная способность 21300 Мб/с, охлаждение без охлаждения, объем 4 Гб. Подробнее

Нет предложений

Общие характеристики
Тип памяти: DDR4
Форм-фактор: SO-DIMM
Тактовая частота: 2666 МГц
Кол-во планок в комплекте: 1 шт
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Объем: 4 Гб
Схема таймингов памяти: 19-19-19
Рабочее напряжение: 1.2 В
Тип охлаждения: без охлаждения
Дополнительно
Профиль планки: стандартный

Уважаемые посетители, описание характеристик «Модуль памяти Silicon Power SP004GBSFU266N02» взято из открытых источников или с сайта производителя. Если вы заметили ошибку, то, пожалуйста, сообщите об этом.